Schottky Barrier MOSFET

Le transistor MOSFET à contacts source et drain Schottky MOSFET) est basée sur une structure MOS à deux jonctions Schottky en lieu et place des zones de source et drain conventionnellement particulièrement dopées et de leurs extensions.



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Transistor - Composant actif - Composant électronique

Page(s) en rapport avec ce sujet :

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  • A bipolar junction transistor with a Schottky barrier between the base and... A Schottky barrier carbon nanotube FET uses the nonideal contact between a... (source : en.wikipedia)
  • In this paper a new asymmetric Schottky barrier MOSFET structure is.... exposed and consequently the desired asymmetric Schottky transistor is fabricated.... (source : linkinghub.elsevier)
Schématique d'un transistor SB MOSFET de longueur de grille 30-nm fabriqué sur film mince de silicium d'un substrat SOI.

Le transistor MOSFET à contacts source et drain Schottky (ou Schottky Barrier (SB) MOSFET) est basée sur une structure MOS à deux jonctions Schottky en lieu et place des zones de source et drain conventionnellement particulièrement dopées et de leurs extensions[1]. Les diodes Schottky sont alors en vis-à-vis et le potentiel interne aux interfaces est alors partiellement contrôlé par le champ de la grille. Cette architecture est issue de la volonté de résoudre des défis majeurs posés sur la technologie MOSFET qui concernent le contrôle des courants de fuite, la formation des jonctions Source/Drain (S/D) idéalement abruptes au bord de la grille, les excès de résistances et de capacités parasites, etc[2]. Dans ce contexte, cette ingénierie S/D prend une importance à part entière dans le développement des prochaines générations de transistors CMOS (sub-30-nm).

Notes et références

  1. http ://metamos. univ-lille1. fr
  2. http ://www. itrs. net/

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