Magnetic Random Access Memory

La mémoire MRAM est une mémoire d'ordinateur non volatile de type magnétique.



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Composant mémoire - Circuit intégré - Composant actif - Composant électronique - Stockage informatique

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  • MRAM -Info : Magnetic RAM news and resources. MRAM is an always-on, fast and high- density memory technology. (source : mram-info)
Types de mémoire
RAM et ROM
Non-Volatiles

à venir :

La mémoire MRAM (Magnetic Random Access Memory) est une mémoire d'ordinateur non volatile de type magnétique.

Type de mémoire

Comme pour les autres mémoires RAM, les données de cette mémoire sont accessibles directement.

Comme pour les autres mémoires non volatiles, les données n'ont pas besoin d'énergie pour être conservées.

Présentation

Les données, contrairement aux données des autres RAM, ne sont pas stockées sous forme d'une charge électrique mais d'une charge magnétique. Le changement d'état se fait en changeant le spin des électrons (par effet tunnel surtout).

Cette méthode de stockage possède les avantages suivants :

La MRAM est fréquemment reconnue comme la mémoire «idéale» alliant rapidité, débit, capacité et non volatilité, ce qui peut amener à penser qu'elle entraînera la fin de la hiérarchie des mémoires.

Technique

Stockage

Des cellules de stockage (composées d'électrons) sont prises en sandwich entre deux couches ferromagnétiques, les bits d'information sont alors codés par le spin magnétique des électrons.

Cette méthode de stockage autorise cette mémoire d'être faiblement influencée par les éléments extérieurs (radiations, champs magnétiques, température…) comparativement aux autres mémoires.

Lecture

La lecture utilise le principe de la Magnétorésistance à effet tunnel (abrégé TMR en anglais)  : Le spin des électrons crée une différence de potentiel entre les deux couches ferromagnétiques, ce qui peut être lu par une tête magnéto-résistive, comparable à celles des disques durs.

Écriture

Le changement du spin des électrons se fait en créant un champ magnétique par effet tunnel entre les deux couches ferromagnétiques.

Performances

La production de ce type de mémoire n'étant qu'à ses tout débuts, les performances potentielles de la mémoire (durée dans le temps surtout) sont toujours mal connues.

Les performances actuelles sont les suivantes :

Industrialisation

Plusieurs acteurs de l'électronique s'y intéressent parmi lesquels : Motorola, IBM, Infineon, Toshiba, Samsung, Nec, ST Micrœlectronics, Sony et Philips.

C'est la société Freescale, qui a été la première entreprise à commercialiser des puces MRAM en juillet 2006 avec des modèles de 4 Méga-bits (512 Kio) pour un prix de 25 dollars.

Cette mémoire est destinée tout d'abord aux dispositifs ayant besoin de mémoire fiable dans des conditions extrêmes. Elle sera certainement progressivement embarquée dans les appareils mobiles comme les téléphones cellulaires ou les assistants personnels. Viendront ensuite progressivement les mémoires vives ainsi qu'à terme peut-être même les mémoires de masse.

On estime que cette mémoire commencera à s'imposer à l'horizon 2010.

Notes et références

  1. Les nouvelles vitesses des puces magnétiques MRAM, Futura-sciences, 25 août 2005
  2. groupe de recherche sur la spintronique de l'institut de recherche de Nanoélectronique de l'AIST (Institut National des Sciences et des Techniques Industrielles Avancées)
  3. Tech-On (2010/01/18)
  4. BE Japon N°528 ; Ambassade de France au Japon (ADIT 2010/02/01)

Liens externes

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